我们早已有能力填充芯片并创立多芯片PCB，然而，加热强劲的芯片是一项艰难的任务，迄今为止，多层设计主要用作NAND存储器芯片等低功耗产品。这可能会在旋即的将来发生变化。普渡大学的研究人员在DARPA许可下工作，研发了一种用于凝结介质流体通过芯片本身的微地下通道，来加热芯片的新方法。微地下通道加热并不是一个全新的点子，但是在这种情况下，突破是用于短路和较宽地下通道（宽度只有10微米）分段流到芯片。
它们相连到研究人员称作“分层燃烧室”的装置，分配通过地下通道的冷却剂流。微地下通道比其长20倍，HFE－7100冷却剂通过微地下通道凝结，它很快从芯片中除去热量。这项技术可以让DARPA加热超级计算机和雷达电子产品，但在消费市场上也具备令人兴奋的前景。
普渡小组顺利地在一平方厘米内加热了1kW的热量。这是一个令人印象深刻印象的热密度，但目前有可能还无法符合超频英特尔Skylake－X芯片所带给的热量输入。一般来说的CPU和GPU大多是单层设计，可以以传统方式充份加热，尽管有一些希望。正如普渡研究人员认为的那样，填充式设计意味著低级芯片无法用于传统方法必要加热，用于片内微地下通道将加热流体必要通过芯片，容许同时加热多级微处理器。
该设计十分奇特，它近期不太可能经常出现在我们的桌面电脑当中。
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